VS-GB75YF120N
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Deutsch
Artikelnummer: | VS-GB75YF120N |
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Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Teil der Beschreibung.: | IGBT MOD 1200V 100A ECONO2 4PACK |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 1200 V |
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 4.5V @ 15V, 100A |
Supplier Device-Gehäuse | ECONO2 4PACK |
Serie | - |
Leistung - max | 480 W |
Verpackung / Gehäuse | Module |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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NTC-Thermistor | No |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Eingang | Standard |
IGBT-Typ | - |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 250 µA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100 A |
Grundproduktnummer | GB75 |
VS-GB75YF120N Einzelheiten PDF [English] | VS-GB75YF120N PDF - EN.pdf |
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RECT BRIDGE 1-PH 200V 25A GBPC-A
IGBT MOD 600V 147A 625W SOT227
TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR
IGBT 1200V 100A 480W ECONO
TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR
IGBT 1200V 100A 480W ECONO
IGBT MOD 1200V 150A INT-A-PAK
BRIDGE RECT 1P 200V 25A GBPC-A
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IGBT MOD 1200V 105A INT-A-PAK
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IGBT MOD 1200V 100A ECONO2 4PACK
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() VS-GB75YF120NVishay General Semiconductor - Diodes Division |
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Zielpreis (USD)
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